삼성전자, 3세대 V낸드 앞세워 '반도체 최대 영업익 도전'

3세대 V낸드 출시 임박.."최고 원가경쟁력"
3Q 반도체 영업익, 전기比 10% 이상 증가 전망
불투명한 스마트폰 대신 반도체가 실적 견인

등록 2015-08-04 오전 6:00:00

수정 2015-08-04 오전 6:00:00
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[이데일리 성문재 기자] 삼성전자(005930)가 반도체 부문에서 공격적인 투자를 바탕으로 이르면 이번 분기 중 3세대 V낸드 메모리를 내놓는다. 이는 원가경쟁력을 획기적으로 끌어올릴 수 있는 계기가 될 전망이다.

지난 2분기 반도체 부문에서 약 5년만에 분기 기준 최대 규모 영억이익(3조4000억원)을 올린 삼성전자는 올 3분기 5년 전 기록(3조4200억원)마저 갈아치우는 도전에 나선다.

3일 업계에 따르면 현재 2세대(32단) V낸드 메모리 개발을 완료한 삼성전자는 3분기 중 3세대(48단) 제품을 출시한 뒤 내년에는 단수를 64단까지 높여 생산할 계획이다.

단수가 높아질수록 많은 셀(Cell)을 수직으로 쌓을 수 있어 고용량 제품의 구현이 가능하다. 최근 빅데이터를 활용하는 추세로 인해 고용량 제품 수요가 늘고 있는 만큼 수익성 개선이 기대된다.

백지호 삼성전자 메모리사업부 전무는 지난달 30일 2분기 실적 컨퍼런스콜에서 “늦어도 오는 10월까지 3세대 V낸드가 나올 것”이라며 “V낸드의 장점인 고신뢰성, 고용량, 고성능을 바탕으로 하이엔드 수요를 끌어올릴 수 있고 원가경쟁력은 그 어떤 제품보다 좋을 것”이라고 말했다.

D램 시장에서는 PC용 D램 가격 하락이 우려를 낳고 있지만 삼성전자를 비롯한 글로벌 D램 업체들은 이미 PC D램 출하량을 줄이는 대신 모바일과 서버용 D램 비중을 늘리고 있다. 특히 아이폰6S와 갤럭시노트5 등에 탑재되는 LPDDR4와 SSD용 TLC 3D 낸드 제품은 대중화 단계에 들어서 폭발적인 수요증가가 예상된다.

업계 관계자는 “메모리 반도체 업황에 대한 우려는 해소되지 않았지만 삼성전자가 20나노 D램 확대와 V낸드 및 10나노급 낸드 비중 확대를 통해 업계 내에서 가장 높은 수익성 개선을 보여줄 것”이라며 “삼성전자의 메모리 반도체 독주 체제는 강화될 것”이라고 예상했다.

여의도 증권가에서는 삼성전자의 이번 3분기 반도체 부문 영업이익이 2분기 3조4000억원을 10% 이상 뛰어넘을 것으로 보는 전망도 나왔다.

이같은 장밋빛 전망을 뒷받침하는 것은 삼성전자의 선제적인 투자다. 지난 2분기에만 반도체에 3조2000억원을 투자한 삼성전자는 올해 14조원 이상을 반도체 분야에 쏟아부을 것으로 예상된다. 삼성전자는 지난해 D램 20나노에서 DDR4와 3D 낸드를 세계 최초로 양산하면서 세계 1위 자리를 지키고 있다.

삼성전자는 지난 2분기 영업이익 6조9000억원 중 절반에 해당하는 3조4000억원을 반도체 부문에서 창출했다. 영업이익률은 1분기 28.6%보다 1.5%포인트 오른 30.1%다.

2분기가 계절적 비수기였지만 D램 20나노 공정 비중을 30%까지 높인 데다 낸드 가격이 안정적으로 유지됐고, 시스템LSI의 매출액이 전분기 대비 50% 넘게 급증하면서 흑자전환한 것이 반도체 부문 수익성을 끌어올렸다.

업계 관계자는 “삼성전자는 이달 스마트폰 신제품 갤럭시노트5와 갤럭시S6엣지플러스 출시를 통해 최근 정체기에 빠져있는 정보통신·모바일(IM)부문 실적을 반등시킨다는 생각이지만 시장 상황은 목표달성 여부를 쉽게 단정지을 수 없을 만큼 불투명하다”며 “결국 반도체 부문 호조가 삼성전자 3분기 실적을 견인할 가능성이 크다”고 분석했다.