특히 낸드플래시에만 전체 투자금액의 절반이 넘는 2조원 이상을 투자할 예정이다. 하이닉스의 낸드플래시 투자 규모가 D램을 앞지른 것은 이번이 처음이다.
30일 관련 업계 등에 따르면 최근 하이닉스는 내년 총 4조원 가량의 내년 투자 계획을 확정지었다.
이는 하이닉스의 올해 투자 계획인 3조4000억원보다 18%가량 늘어난 규모다. 하이닉스는 상반기에 2조650억원의 투자를 집행했다.
올해 하이닉스의 낸드플래시 투자 계획은 8500억원 수준에 불과했다. 낸드플래시 분야에서만 135% 이상 투자를 늘리는 셈이다. 현재 하이닉스의 낸드플래시 매출 비중은 30% 수준이다.
낸드플래시 투자는 대부분 청주에 새로 증설하는 낸드플래시 전용 생산설비인 M12라인 투자에 쓰일 예정이다. M12 라인의 낸드플래시 생산 규모는 월 13~15만장(300mm 웨이퍼 투입 기준) 수준이 될 전망이다.
하이닉스는 이미 낸드플래시용 장비 반입과 클린룸 설계 등을 담당하는 태스크포스팀을 꾸리고, M12라인 증설을 위한 작업에 들어간 상태다.
하이닉스가 낸드플래시 사업에 공격적인 투자 계획을 세운 이유는 내년부터 본격적인 낸드플래시 점유율 확대에 뛰어들기 위해서다.
권오철 하이닉스 사장은 최근 기자들과 만나 "현재 낸드 점유율이 좀 부족하다는 생각이 있어 투자를 늘릴 계획"이라고 말한 바 있다.
업계 한 관계자는 "하이닉스가 지난해부터 20나노급 64Gb 제품 양산에 나서는 등 낸드플래시 사업에서 추격의 발판을 만들었다"면서 "SKT라는 새로운 주인을 찾은 하이닉스가 내년부터는 본격적인 공격 투자에 나설 수 있을 것"이라고 말했다.
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