삼성전자는 11일 512메가 원디램이 올해안에 국내외 주요 모바일기기업체의 7개 모델에 채용될 예정이라고 밝혔다. 2006년12월 개발된 이 제품은 이미 지난 8월 고성능 스마트폰인 'SGH-L870'에 탑재된 바 있다.
삼성전자는 또 고성능 스마트폰용 원디램 수요가 확대됨에 따라 1Gb(기가비트) 제품의 개발을 완료했다.
이달중 주요 고객사들에게 샘플이 공급되며 내년 3월부터 양산을 시작할 계획이다. 이에따라 내년에 원디램을 채용한 휴대폰 모델은 총 40개 이상으로 확대될 전망이다.
휴대폰에 탑재된 원디램은 533MB/s 속도로 모뎀 CPU(통신 기능 수행)의 데이터를 받아 1.06GB/s 속도로 AP CPU(미디어 기능 수행)에 데이터를 전송한다. 기존보다 100배 이상의 인터페이스의 속도를 구현할 수 있다는 설명이다.
특히 이번달 출시되는 1기가 원디램 제품은 기존 512메가 원디램 제품 대비 25% 빠른 166MHz 고속 동작을 구현하도록 설계됐다. 휴대폰 사용자는 실시간 TV 시청, 화상통화 등과 같은 고사양 기능을 더욱 원활히 즐길 수 있다.
원디램은 휴대폰 업체들이 설계비용을 절감하고 제품 개발기간을 단축할 수 있도록 해 준다. 또 휴대폰에서 칩이 차지하는 면적을 줄여 휴대폰 기판을 종전 대비 3분의2 수준으로 축소시키는 설계상의 장점도 가지고 있다.
삼성전자 김세진 상무는 "3세대 휴대폰 도입 이후 휴대폰 업체의 초고속 통신환경에 맞는 제품 개발을 위해 고성능 메모리 솔루션에 대한 기대가 점차 높아지고 있다"며 "향후 원디램 채용 제품은 고성능 휴대폰은 물론 다양한 모바일 기기까지 더욱 확대될 것으로 전망된다"고 말했다.
한편 향후 원디램 탑재 MCP(멀티칩패키지) 시장은 2011년까지 연간 300% 성장할 것으로 전망된다.
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