SK하이닉스, 차세대 모바일 D램 최초 개발

[이데일리 박철근 기자] SK하이닉스가 업계 최초로 차세대 모바일 D램으로 꼽히는 ‘고성능 와이드 IO2 모바일 D램(WIO2)’ 개발에 성공했다. 이에 따라 DDR4 중심으로 만들어지고 있는 모바일 D램 제조방식의 다변화를 꾀한다는 계획이다.

SK하이닉스(000660)는 3일 “현재 JEDEC(반도체분야 표준 기구)이 표준화를 진행 중인 고성능 모바일 D램의 한 종류인 WIO2 개발에 성공, 내년 하반기부터 양산에 들어갈 예정”이라고 밝혔다.

이 제품은 20나노급 공정을 적용한 8기가비트(Gb) 용량으로 저전력(LP)DDR4와 같은 1.1V 동작전압에서 저전력 특성을 강화하고, 정보입출구(I/O)의 수를 대폭 늘려 데이터 처리속도를 높인 것이 특징이다.

SK하이닉스가 업계 최초로 개발한 차세대 ‘와이드 IO2 모바일 D램’. SK하이닉스 제공

기존 LPDDR4 제품은 3200Mbps 속도로 32개의 정보입출구에서 초당 12.8기가바이트(GB)의 데이터 처리가 가능하다. 하지만 WIO2는 LPDDR4보다 하나의 정보입출구에서 동작하는 속도(800Mbps)는 느리지만, 512개의 정보출입구로 초당 51.2GB의 데이터 처리가 가능해 초당 처리 용량은 기존 LPDDR4 보다 4배 빨라 현존하는 모바일 D램 가운데 최고 성능을 자랑한다.

특히 그동안 DDR 제품을 기반으로 D램 제품이 진화했지만, 최근 성능을 요구하는 고객의 수요에 맞춰 HBM(TSV(실리콘관통전극) 기술을 활용해 D램을 적층한 초고속 메모리)이나 WIO2 등과 같은 새로운 형태로도 발전을 계속해 D램 제조방식의 다변화를 이끌 것으로 예상된다.

현재 이 제품은 주요 시스템온칩(SoC) 업체에 샘플을 공급됐으며 내년 하반기부터 양산에 나서 고성능 모바일 D램 시장 공략을 강화할 계획이다.

고객사에서는 WIO2와 함께 SoC를 탑재해 한 시스템을 이루는 시스템인패키지(SiP)형태로 시장에 최종 공급하게 된다고 회사측은 전했다.

김진국 모바일 개발본부장(상무)은 “WIO2 제품을 통해 확대되는 고성능 모바일 D램에 대한 고객의 요구를 만족시킬 것”이라며 “앞으로도 지속해서 고성능, 저전력 제품을 개발해 모바일 D램 시장의 기술 주도권을 확보해 나가겠다”고 밝혔다.

한편 SK하이닉스는 지난해 12월과 올해 4월에 업계 최초로 TSV 기술 기반의 HBM과 128GB 서버용 모듈을 개발해 고객과 상품화를 진행하고 있다.

SK하이닉스 제공

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