삼성전자, 2016년 1분기 `18나노` D램 양산 돌입

‘반도체 강자’ 삼성전자가 2016년 1분기 18나노 D램 칩 대량 생산에 돌입한다. 사진=삼성전자

[이데일리 e뉴스 김병준 기자] ‘반도체 강자’ 삼성전자가 2016년 1분기 1X나노(18나노) D램 칩 대량 생산에 돌입한다.

미국 정보기술(IT) 전문 매체 ‘샘 모바일’은 ‘일렉트로닉 타임스’의 최근 보고서를 인용해 “삼성전자가 내년 초 18나노 D램 양산 준비를 마쳤다”고 지난 28일(한국시간) 보도했다.

삼성전자는 이미 새로운 18나노 공정 D램 개발을 완료한 걸로 알려졌다. D램 가격이 많이 낮아진 지금 본격적인 생산에 착수해 비용을 최소화하면서 수익은 최대화하겠다는 전략이다.

삼성전자는 지난 2014년 세계 최초로 20나노 D램 양산을 시작했다. 당시 수익뿐만 아니라 시장 점유율까지 챙긴 삼성전자는 지금까지도 반도체 강자의 위치에 자리잡고 있다.

경쟁기업 SK 하이닉스와 마이크론도 내년 중 18나노 D램 양산을 목표로 삼성전자에 뒤처지지 않기 위해 노력하고 있는 것으로 전해졌다.

한편 대만의 반도체 시장조사 및 정보제공 사이트 ‘디램 익스체인지’에 따르면 지난 11월 DDR3 4GB D램의 계약 가격은 1.72달러(2000원)로 올해 1월에 비해 49.1%나 하락했다.

반도체 업계는 이같은 추세가 내년까지도 지속돼 D램 가격이 꾸준히 내려갈 걸로 전망하고 있다.