삼성전자·SK하이닉스, 차세대 모바일 D램 시장 선도

[이데일리 박철근 기자]세계 모바일 D램 시장을 이끌고 있는 삼성전자(005930)와 SK하이닉스(000660)가 또 한 번 앞선 기술을 선보였다.

삼성전자와 SK하이닉스는 30일 “세계 최초로 차세대 모바일 D램인 20나노급 8기가비트(Gb) 저전력(LP) DDR4 제품을 개발했다”고 발표했다.

이에 따라 현재 LP DDR3가 표준인 모바일 D램 시장에서 국내 기업이 차세대 모바일 D램 표준화를 이끌 수 있을 것으로 예상된다.

이번에 두 회사가 개발한 LPDDR4 제품은 기존 제품보다 초고속·저전력의 특성을 갖고 있다. 시장 주력제품인 LPDDR3의 속도인 1600Mbps보다 2배 빠른 3200Mbps 이상의 데이터 전송속도를 갖췄다. 또 동작전압 측면에서도 기존 LPDDR3의 1.2V보다 낮은 1.1V를 구현했다.

특히 이번 8Gb LPDDR4 모바일 D램 개발을 통해 앞으로 스마트폰이나 태블릿, 울트라북 등에 들어가는 모바일 D램 용량도 현재 최고 수준인 3기가바이트(GB) 보다 높아진 4GB 시대를 열 것으로 보인다.

삼성전자는 이번에 개발한 8Gb LPDDR4 모바일 D램을 기반으로 한 4GB 모바일 D램을 내년 상반기에 양산할 예정이다.

지난 9월 선보인 갤럭시노트3에 최초로 3GB 램을 탑재함에 따라 내년에 출시할 갤럭시노트4에도 4GB 램 탑재가 유력하게 점쳐진다. 아울러 내년부터 초고화질(UHD)을 지원하는 대화면 스마트폰, 태블릿, 울트라슬림 노트북과 함께 최신 고성능 네트워크 등 프리미엄 시장을 본격 공략해 나갈 예정이다.

전영현 삼성전자 메모리사업부 전략마케팅팀장(부사장)은 “차세대 LP DDR4 모바일 D램은 내년 D램 시장에서 가장 큰 비중을 차지하게 될 모바일 D램의 지속 성장에 크게 기여할 것으로 기대된다”며 “앞으로도 차세대 모바일 D램과 솔루션을 한 발 앞서 출시해 글로벌 모바일 업체들이 혁신적인 모바일 기기를 적기에 출시하고 소비자에게 더욱 편리함을 제공하겠다”고 말했다.

삼성전자가 개발에 성공한 20나노급 8기가비트(Gb) LPDDR4(저전력 메모리) 모바일 D램. 삼성전자 제공

SK하이닉스도 시제품을 주요 고객사와 시스템온칩(SoC) 업체에 제공해 새로운 모바일 D램 규격 표준화를 위한 협업을 강화하고 있다. 이 회사는 이 제품을 내년 하반기부터 양산할 계획이다.

진정훈 SK하이닉스 마케팅본부장(전무)은 “차세대 모바일 표준인 LPDDR4 제품을 세계 최초로 개발하고 고객에 샘플을 제공해 기술 리더십을 공고히 했다”며 “앞으로도 고용량, 초고속, 저전력 제품 개발을 통해 모바일 분야 경쟁력을 더욱 강화하겠다”고 설명했다.

한편 업계에서는 LPDDR4 램이 내년 말부터 플래그십 모바일 기기에 채용되기 시작해 2015년부터는 시장이 본격화되고, 2016년에는 주력 제품이 될 것으로 내다봤다.

SK하이닉스가 개발한 20나노급 8기가비트(Gb) LPDDR4(저전력 메모리) 모바일 D램. SK하이닉스는 내년 하반기부터 본격 양산에 들어갈 예정이다. SK하이닉스 제공