이 모듈은 50나노급 공정인 2기가비트(Gb) DDR3 D램을 적용한 것이다. 1.35V 동작으로 기존 1.5V DDR3 D램보다 소비전력이 약 20% 낮다.
삼성전자는 현재 양산 중인 60나노급 2Gb DDR2 D램 모듈의 속도인 800Mbps(초당 800메가비트 데이터 처리)보다 1.3배 빠른 1066Mbps 동작 속도를 구현했다고 설명했다. DDR3 D램은 현재 메모리 반도체 주력인 DDR2 D램보다 2배 이상 빠르다.
이어 5개월만에 16GB 및 8GB RDIMM(서버용) 제품까지 주요 서버업체에 공급함으로써 2Gb DDR3 기반으로 총 18종의 제품군을 양산하게 됐다.
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