"물리적 한계 넘었다"‥삼성電, 세계첫 '10나노' 2Q부터 양산

이데일리신문 | 이 기사는 이데일리신문 2012년 01월 06일자 11면에 게재됐습니다.

[이데일리 안승찬 기자] 삼성전자가 오는 2분기부터 물리적 한계점인 10나노미터 미세공정을 이용한 낸드플래시 양산에 들어간다. 10나노급 낸드플래시 양산은 아직 전례가 없는 시도다.

그간 업계에서는 삼성의 10나노급 낸드 양산은 하반기에나 가능할 것으로 예상했지만, 삼성이 양산 시기를 대폭 앞당긴 셈이다. 삼성이 10나노급 낸드를 양산하게 되면, 삼성은 메모리 반도체 시장에서 경쟁사와의 격차를 6개월 이상 벌리게 된다.

▲ 삼성전자의 20나노급 64Gb MLC 낸드플래시. 삼성전자는 오는 2분기에 세계 최초로 10나노급 낸드플래시 양산체제를 갖출 예정이다.

삼성 고위 관계자는 5일 "국내 공장에서 10나노 낸드플래시 양산이 늦어도 오는 2분기 내에 시작될 것"이라며 "20나노에 이어 10나노급도 세계 최초로 양산에 들어간다"고 밝혔다.

전문가들은 "20나노 이하의 미세공정 도입은 물리적 한계치에 도전하는 것"이라는 평가할 만큼, 10나노 공정은 앞선 기술이다. 1나노미터(㎚)는 10억분의 1ｍ로 성인 사람 머리카락 굵기의 10만분의 1정도다. 미세한 공정을 적용할수록 반도체의 집적도는 그만큼 높아진다.

국내외 경쟁사도 아직 삼성의 기술력을 따라오지 못하고 있다. 지난해 19나노급 낸드플래시 시제품을 선보였던 도시바는 아직 이 제품의 양산체제를 갖추지 못한 상태다. 하이닉스는 오는 4분기에 10나노급 낸드 양산에 나설 것으로 예상된다.

삼성전자(005930)가 국내에서 10나노급 낸드 양산을 서두르는 것은 내년 중국에 낸드플래시 공장을 설립하는 것이 주된 이유가 됐다.

삼성은 내년 3분기부터 생산에 들어가는 중국 낸드 공장에 10나노급 공정을 도입할 예정이다. 중국 최초의 낸드플래시 생산공장에 최첨단 공정기술이 도입되는 것이다.

따라서 삼성이 국내 공장에 먼저 10나노급 공정을 도입해, 중국 공장과의 기술 격차를 최소 1년 이상으로 유지하겠다는 전략이다.

반도체업계 한 관계자는 "삼성이 기술 유출은 없을 것이라고 자신하고 있지만, 만의 하나를 대비하지 않을 수 없을 것"이라며 "중국 공장보다 국내의 기술적 우위를 유지하는 전략을 쓸 수밖에 없다"고 말했다.

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